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相変化材料を用いた次世代不揮発性メモリ技術の開発

Last update on 2014-04-23 (水) 16:49:37 (1308d) | 編集 | 凍結 | 複製 | 名前変更 | 差分 | バックアップ | 添付

研究プロジェクト

みなさん、不揮発性メモリという言葉はご存じでしょうか?
一言で言えば、電源を落としても、内容が残っているメモリのことです。
最近ではiPod nanoやPSPのデータ保存用としてFlashメモリと呼ばれる不揮発性メモリが一般的に普及しています。
小型で高速、バッテリーの持ちも良く、HDDの様に振って壊れることもありません。
一見理想的にも見えるFlashメモリですが、実は構造上の限界から、そう遠く無い未来に容量の限界が来てしまうのです。

そこで、既に、その次を担う不揮発性メモリの開発が本格化しています。
MRAM、FeRAM、ReRAM・・
様々なメモリが開発されている中で、最もFlash代替として挙げられているのが
本研究室で研究されているPRAM(相変化メモリ)なのです。
(Intelでも相変化メモリの開発は進んでいます。OUMと呼んでいます。)

本研究室では、PRAMの記憶材料である相変化材料についての研究を長年行っており、
現在では、最先端の一翼を担い、特許を抑え、開発各社と肩を並べ開発を行っています。

是非、どんな研究を行っているのかな?と興味を持たれた方は、
花見や授業の機会を利用して、または気軽に研究室までお越しください。