Top / 相変化材料を用いた次世代不揮発性メモリ技術の開発相変化材料を用いた次世代不揮発性メモリ技術の開発
みなさん、不揮発性メモリという言葉はご存じでしょうか？
一言で言えば、電源を落としても、内容が残っているメモリのことです。
最近ではiPod nanoやPSPのデータ保存用としてFlashメモリと呼ばれる不揮発性メモリが一般的に普及しています。
小型で高速、バッテリーの持ちも良く、HDDの様に振って壊れることもありません。
一見理想的にも見えるFlashメモリですが、実は構造上の限界から、そう遠く無い未来に容量の限界が来てしまうのです。
そこで、既に、その次を担う不揮発性メモリの開発が本格化しています。
MRAM、FeRAM、ReRAM・・
様々なメモリが開発されている中で、最もFlash代替として挙げられているのが
本研究室で研究されているPRAM（相変化メモリ）なのです。
（Intelでも相変化メモリの開発は進んでいます。OUMと呼んでいます。）
本研究室では、PRAMの記憶材料である相変化材料についての研究を長年行っており、
現在では、最先端の一翼を担い、特許を抑え、開発各社と肩を並べ開発を行っています。
是非、どんな研究を行っているのかな？と興味を持たれた方は、
花見や授業の機会を利用して、または気軽に研究室までお越しください。
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