次世代不揮発性メモリRRAMのCMOSインテグレーション のバックアップ差分(No.2)

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 [[相変化材料を用いた次世代不揮発性メモリ技術の開発]]
 
 [[研究プロジェクト]]
 
 みなさん、不揮発性メモリという言葉はご存じでしょうか？~
 一言で言えば、電源を落としても、内容が残っているメモリのことです。~
 最近ではiPod nanoやPSPのデータ保存用としてFlashメモリと呼ばれる不揮発性メモリが一般的に普及しています。~
 小型で高速、バッテリーの持ちも良く、HDDの様に振って壊れることもありません。~
 一見理想的にも見えるFlashメモリですが、実は構造上の限界から、そう遠く無い未来に容量の限界が来てしまうのです。
 不揮発性メモリは、電源がなくても情報を記憶しておくことができるメモリです。ですから、USBメモリやICカード（お財布携帯や電子マネー）には必ず必要となる集積回路です。携帯電話でワンセグが見られるようになり、さらに大容量の不揮発性メモリを搭載して、録画までできるようになってきました。デジカメもフィルムカメラに匹敵する高精細画像撮影や動画像記録までできるようになってきています。しかし、長時間の動画記録やPCのハードディスクレス化を達成するには、現在の不揮発性メモリ＝フラッシュメモリでは、容量や動作速度が不足するため、新しい記録原理を利用した、新型メモリの開発が世界中で行われています。現在のところ、相変化メモリ(PRAM)、磁気抵抗メモリ(MRAM)、電界誘起抵抗変化メモリ(RRAM)の3種類が次世代メモリの最有力候補となっています。
 
 ~そこで、既に、その次を担う不揮発性メモリの開発が本格化しています。~
 MRAM、FeRAM、ReRAM・・~
 様々なメモリが開発されている中で、最もFlash代替として挙げられているのが~
 本研究室で研究されているPRAM（相変化メモリ）なのです。~
 （Intelでも相変化メモリの開発は進んでいます。OUMと呼んでいます。）~
 MeRLは、これまで相変化不揮発性メモリ(PRAM)の設計技術で世界をリードしてきました。相変化メモリは、低コスト・大容量化が可能なメモリで、既に幾つかのメーカから製品のサンプル出荷が始まっていますが、DRAMなどに比べると動作速度が少し遅いという難点があります。このため、PCのハードディスクを置き換えることはできますが、DRAMなどのワーキングメモリを置き換えることができません。DRAMを不揮発性メモリに置き換えるとインスタントオンPC（電源を入れると即座に立ち上がるPC）が実現できます。そこで、近年発見された、新しい高速不揮発性メモリを大手メーカと協力して開発しています。
 
 ~本研究室では、PRAMの記憶材料である相変化材料についての研究を長年行っており、~
 現在では、最先端の一翼を担い、特許を抑え、開発各社と肩を並べ開発を行っています。~
 ~是非、どんな研究を行っているのかな？と興味を持たれた方は、~
 花見や授業の機会を利用して、または気軽に研究室までお越しください。
 テスト用の回路設計を金沢大学で行い、製造プロセスの開発や動作メカニズムの解明を企業や国の研究機関が担当している巨大なプロジェクトです。世界中の半導体メーカやマスコミが注目している研究テーマですので、開発ペースが速く、辛いこともありますが、やりがいのあるテーマだと
 思います。
 
 MeRLで開発した世界初のCMOS混載相変化メモリコア
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