次世代不揮発性メモリRRAMのCMOSインテグレーション のバックアップソース(No.2)

[[研究プロジェクト]]

不揮発性メモリは、電源がなくても情報を記憶しておくことができるメモリです。ですから、USBメモリやICカード（お財布携帯や電子マネー）には必ず必要となる集積回路です。携帯電話でワンセグが見られるようになり、さらに大容量の不揮発性メモリを搭載して、録画までできるようになってきました。デジカメもフィルムカメラに匹敵する高精細画像撮影や動画像記録までできるようになってきています。しかし、長時間の動画記録やPCのハードディスクレス化を達成するには、現在の不揮発性メモリ＝フラッシュメモリでは、容量や動作速度が不足するため、新しい記録原理を利用した、新型メモリの開発が世界中で行われています。現在のところ、相変化メモリ(PRAM)、磁気抵抗メモリ(MRAM)、電界誘起抵抗変化メモリ(RRAM)の3種類が次世代メモリの最有力候補となっています。

MeRLは、これまで相変化不揮発性メモリ(PRAM)の設計技術で世界をリードしてきました。相変化メモリは、低コスト・大容量化が可能なメモリで、既に幾つかのメーカから製品のサンプル出荷が始まっていますが、DRAMなどに比べると動作速度が少し遅いという難点があります。このため、PCのハードディスクを置き換えることはできますが、DRAMなどのワーキングメモリを置き換えることができません。DRAMを不揮発性メモリに置き換えるとインスタントオンPC（電源を入れると即座に立ち上がるPC）が実現できます。そこで、近年発見された、新しい高速不揮発性メモリを大手メーカと協力して開発しています。

テスト用の回路設計を金沢大学で行い、製造プロセスの開発や動作メカニズムの解明を企業や国の研究機関が担当している巨大なプロジェクトです。世界中の半導体メーカやマスコミが注目している研究テーマですので、開発ペースが速く、辛いこともありますが、やりがいのあるテーマだと
思います。

MeRLで開発した世界初のCMOS混載相変化メモリコア
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