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ReRAMの書き込み抵抗制御回路と多値記録回路 の編集

-- 雛形とするページ -- *作業日誌テンプレート 2006花見 2007花見 3次元触覚センサ Access Guide Anggota Lab/複製 Bahasa BracketName Cakupan Penelitian Chinese Chip Photo Gallery Chip Photo Gallery 2000 Chip Photo Gallery 2001 Chip Photo Gallery 2002 Chip Photo Gallery 2003 Chip Photo Gallery 2004 Chip Photo Gallery 2005 Chip Photo Gallery 2006 Chip Photo Gallery 2007 Chip Photo Gallery 2008 Chip Photo Gallery ~1999 English FormattingRules FrontPage Help InterWiki InterWikiName InterWikiSandBox InterWikiテクニカル Kanazawa Univ. VDEC MeRLが期待する4年生 MeRLの研究方法 MeRLの研究目標 Members MenuBar PHP Panduan Akses Personnel Proxi-Vision センサ PukiWiki PukiWiki/1.4 PukiWiki/1.4/Manual PukiWiki/1.4/Manual/Plugin PukiWiki/1.4/Manual/Plugin/A-D PukiWiki/1.4/Manual/Plugin/E-G PukiWiki/1.4/Manual/Plugin/H-K PukiWiki/1.4/Manual/Plugin/L-N PukiWiki/1.4/Manual/Plugin/O-R PukiWiki/1.4/Manual/Plugin/S-U PukiWiki/1.4/Manual/Plugin/V-Z RFIDを用いた介護支援センサシステム ReRAMの書き込み抵抗制御回路と多値記録回路 RecentDeleted Related Site Research Projects SandBox Situs Terkait Sponsor Sponsorship The Korean language Thesis Subjects Top Page (English) WikiEngines WikiName WikiWikiWeb YukiWiki butchi kawai kimura komatsubara korea saiki uesaka vdec2pc汎用インタフェースの設計と試作 wada/201006 wada/test yama yasu yoshimoto ＭＩＭＯを用いたセンサネットワーク アセンブリレベル合成による設計環境の作成 ウェアラブルコンピュータ用の導電性衣服を用いたネットワークシステム コメント/handa コメント/komatsubara コメント/uesaka コメント/金大列伝 スペクトラムセンサと高速サーモビジョン スポンサー スマートフォンを用いた環境モニタリングシステム センサインテグレーションとボディエリアネットワーク デュアルバンド無線通信LSI（北川） バイオアクチュエータチップ パッシブ型バイオアイソレーションセンサ プラズマ発光センサ ヘルプ ボトムアップ式電子工作 メンバ ユビキタス気象観測センサノード 仮想触覚生成チップ 過去のTopics 過去の研究テーマ 介護支援のためのボディエリア無線ネットワーク(BAN)の開発 汗腺検出/刺激センサ 環境モニタのためのチューリンガルサーバの構築 関連リンク 近接場光を用いたスペクトルセンサLSIの開発 金大列伝 金沢大学VDEC 研究プロジェクト 研究紹介パンフレット 公開IPリスト 抗加齢医療のための活性酸素センサLSIの開発 高機能なカメラ向けのイメージセンサ 高精細ディスプレイ 高度道路交通システム対応超広帯域低雑音伝送LSIの開発 試作チップギャラリー 次世代不揮発性メモリRRAMのCMOSインテグレーション 所在地/アクセス 新聞報道等 人工触覚毛LSIおよび触覚の2次元画像化技術の開発 整形ルール 相変化材料を用いた次世代不揮発性メモリ技術の開発 卒業研究題目 卒業生 卒業生.bak 低品質電力加算回路 電子スピン共鳴ラジカルセンサ 日本語 燃料水位センサ（北川） 発表文献等 評価設備リスト 無線空力計測センサ
[[研究プロジェクト]] * ReRAMの書き込み抵抗制御回路と多値記録回路 [#o46629f4] -ReRAM (Resistance RAM)は、大容量、超高速の次世代不揮発性メモリです。不揮発性メモリとは、電源がなくても情報を記憶しておくことができるメモリです。USBメモリやICカード（お財布携帯や電子マネー）には必ず必要となる集積回路です。近年、大容量のSDカードにHD動画記録ができるようになってきました。PCもハードディスクが無くなり超軽量・高速なSSDが一般化し始めています。これらは、不揮発性メモリ技術の進歩の結果といえます。 -さらに、高速動作と大容量化、無限に近い書換え回数を目指して、新しい記録原理を利用した、新型メモリの開発が世界中で活発化しています（※1）。いまのところ、相変化メモリ(PRAM)、磁気抵抗メモリ(MRAM)、電界誘起抵抗変化メモリ(ReRAM)の3種類が次世代メモリの最有力候補となっています。 -MeRLでは、世界に先駆けて相変化不揮発性メモリ(PRAM)の集積化に取り組み、数々の特許技術を提案してきました。相変化メモリは、低コスト・大容量化が可能なメモリですが、書き換え速度が少し遅いという難点があります。このため、PCのハードディスクを置き換えることはできますが、DRAMやLSI内部のメモリを置き換えることができません。そこで、近年発見された、新しい高速不揮発性メモリReRAMを大手メーカと協力して開発してきました。 -しかし、ReRAMは、論理値'1'が記録されているところに再度'1'を書き込んだり、論理値'0'が記録されているところに再度'0'を書き込んだりすると、寿命が短くなってしまうという欠点があります。また、フラッシュメモリと同じぐらいビットコストを下げようとすると、多値記録（※2）方式にする必要があります。MeRLでは、これらに答えることのできる新回路の特許を出願していますが、まだ、理論的なアイデアなので、このLSIを試作実証する計画です。 ~ --※1 現在の不揮発性メモリの主流は、フラッシュメモリという方式ですが、ランダムアクセスではないこと、書換え動作が遅いこと、書換え可能回数が少ないこと、マイクロプロセッサなどを作るCMOSとは異なる製造法であることから応用が限定されています。それに対して、全システムの記憶機能を置き換えることができるReRAMなどの高性能不揮発性メモリは、新型不揮発性メモリ(Emerging Nonvolatile Memory)と呼ばれています。 --※2 メモリの回路は、多量のメモリセル（記憶回路）のアレイ構造でできていて、DRAMやSRAMでは、1個のメモリセルに1bitのデータを記録しています。もし、1個のメモリセルに2bit以上のデータを記録できれば、容量を飛躍的に増やすことができ、フラッシュメモリは、多値記録方式を用いて大容量化されています。 大容量不揮発性メモリの高性能化によって推進される技術分野 #ref(./nvram_app1.jpg,around); MeRLで開発した世界初のCMOS混載相変化不揮発性メモリコア #ref(./00MOT0001-MEM1s.jpg,around);
[[研究プロジェクト]] * ReRAMの書き込み抵抗制御回路と多値記録回路 [#o46629f4] -ReRAM (Resistance RAM)は、大容量、超高速の次世代不揮発性メモリです。不揮発性メモリとは、電源がなくても情報を記憶しておくことができるメモリです。USBメモリやICカード（お財布携帯や電子マネー）には必ず必要となる集積回路です。近年、大容量のSDカードにHD動画記録ができるようになってきました。PCもハードディスクが無くなり超軽量・高速なSSDが一般化し始めています。これらは、不揮発性メモリ技術の進歩の結果といえます。 -さらに、高速動作と大容量化、無限に近い書換え回数を目指して、新しい記録原理を利用した、新型メモリの開発が世界中で活発化しています（※1）。いまのところ、相変化メモリ(PRAM)、磁気抵抗メモリ(MRAM)、電界誘起抵抗変化メモリ(ReRAM)の3種類が次世代メモリの最有力候補となっています。 -MeRLでは、世界に先駆けて相変化不揮発性メモリ(PRAM)の集積化に取り組み、数々の特許技術を提案してきました。相変化メモリは、低コスト・大容量化が可能なメモリですが、書き換え速度が少し遅いという難点があります。このため、PCのハードディスクを置き換えることはできますが、DRAMやLSI内部のメモリを置き換えることができません。そこで、近年発見された、新しい高速不揮発性メモリReRAMを大手メーカと協力して開発してきました。 -しかし、ReRAMは、論理値'1'が記録されているところに再度'1'を書き込んだり、論理値'0'が記録されているところに再度'0'を書き込んだりすると、寿命が短くなってしまうという欠点があります。また、フラッシュメモリと同じぐらいビットコストを下げようとすると、多値記録（※2）方式にする必要があります。MeRLでは、これらに答えることのできる新回路の特許を出願していますが、まだ、理論的なアイデアなので、このLSIを試作実証する計画です。 ~ --※1 現在の不揮発性メモリの主流は、フラッシュメモリという方式ですが、ランダムアクセスではないこと、書換え動作が遅いこと、書換え可能回数が少ないこと、マイクロプロセッサなどを作るCMOSとは異なる製造法であることから応用が限定されています。それに対して、全システムの記憶機能を置き換えることができるReRAMなどの高性能不揮発性メモリは、新型不揮発性メモリ(Emerging Nonvolatile Memory)と呼ばれています。 --※2 メモリの回路は、多量のメモリセル（記憶回路）のアレイ構造でできていて、DRAMやSRAMでは、1個のメモリセルに1bitのデータを記録しています。もし、1個のメモリセルに2bit以上のデータを記録できれば、容量を飛躍的に増やすことができ、フラッシュメモリは、多値記録方式を用いて大容量化されています。 大容量不揮発性メモリの高性能化によって推進される技術分野 #ref(./nvram_app1.jpg,around); MeRLで開発した世界初のCMOS混載相変化不揮発性メモリコア #ref(./00MOT0001-MEM1s.jpg,around);

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