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2024-11-17
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次世代不揮発性メモリRRAMのCMOSインテグレーション をテンプレートにして作成
開始行:
[[研究プロジェクト]]:
[[次世代不揮発性メモリRRAMのCMOSインテグレーション]]
不揮発性メモリは、電源がなくても情報を記憶しておくことが...
さらに、高速動作と大容量化、無限に近い書換え回数を目指し...
MeRLは、世界に先駆けて相変化不揮発性メモリ(PRAM)の集積化...
金沢大学が研究用の回路設計を担当し、製造プロセスの開発や...
※(解説) 現在の不揮発性メモリの主流は、フラッシュメモリ...
大容量不揮発性メモリの高性能化によって推進される技術分野
#ref(./nvram_app1.jpg,around);
MeRLで開発した世界初のCMOS混載相変化メモリコア
#ref(./00MOT0001-MEM1s.jpg,around);
終了行:
[[研究プロジェクト]]:
[[次世代不揮発性メモリRRAMのCMOSインテグレーション]]
不揮発性メモリは、電源がなくても情報を記憶しておくことが...
さらに、高速動作と大容量化、無限に近い書換え回数を目指し...
MeRLは、世界に先駆けて相変化不揮発性メモリ(PRAM)の集積化...
金沢大学が研究用の回路設計を担当し、製造プロセスの開発や...
※(解説) 現在の不揮発性メモリの主流は、フラッシュメモリ...
大容量不揮発性メモリの高性能化によって推進される技術分野
#ref(./nvram_app1.jpg,around);
MeRLで開発した世界初のCMOS混載相変化メモリコア
#ref(./00MOT0001-MEM1s.jpg,around);
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