次世代不揮発性メモリRRAMのCMOSインテグレーション のバックアップソース(No.1)

[[相変化材料を用いた次世代不揮発性メモリ技術の開発]]

[[研究プロジェクト]]

みなさん、不揮発性メモリという言葉はご存じでしょうか？~
一言で言えば、電源を落としても、内容が残っているメモリのことです。~
最近ではiPod nanoやPSPのデータ保存用としてFlashメモリと呼ばれる不揮発性メモリが一般的に普及しています。~
小型で高速、バッテリーの持ちも良く、HDDの様に振って壊れることもありません。~
一見理想的にも見えるFlashメモリですが、実は構造上の限界から、そう遠く無い未来に容量の限界が来てしまうのです。

~そこで、既に、その次を担う不揮発性メモリの開発が本格化しています。~
MRAM、FeRAM、ReRAM・・~
様々なメモリが開発されている中で、最もFlash代替として挙げられているのが~
本研究室で研究されているPRAM（相変化メモリ）なのです。~
（Intelでも相変化メモリの開発は進んでいます。OUMと呼んでいます。）~

~本研究室では、PRAMの記憶材料である相変化材料についての研究を長年行っており、~
現在では、最先端の一翼を担い、特許を抑え、開発各社と肩を並べ開発を行っています。~
~是非、どんな研究を行っているのかな？と興味を持たれた方は、~
花見や授業の機会を利用して、または気軽に研究室までお越しください。