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次世代不揮発性メモリRRAMのCMOSインテグレーション の編集

-- 雛形とするページ -- *作業日誌テンプレート 2006花見 2007花見 3次元触覚センサ Access Guide Anggota Lab/複製 Bahasa BracketName Cakupan Penelitian Chinese Chip Photo Gallery Chip Photo Gallery 2000 Chip Photo Gallery 2001 Chip Photo Gallery 2002 Chip Photo Gallery 2003 Chip Photo Gallery 2004 Chip Photo Gallery 2005 Chip Photo Gallery 2006 Chip Photo Gallery 2007 Chip Photo Gallery 2008 Chip Photo Gallery ~1999 English FormattingRules FrontPage Help InterWiki InterWikiName InterWikiSandBox InterWikiテクニカル Kanazawa Univ. VDEC MeRLが期待する4年生 MeRLの研究方法 MeRLの研究目標 Members MenuBar PHP Panduan Akses Personnel Proxi-Vision センサ PukiWiki PukiWiki/1.4 PukiWiki/1.4/Manual PukiWiki/1.4/Manual/Plugin PukiWiki/1.4/Manual/Plugin/A-D PukiWiki/1.4/Manual/Plugin/E-G PukiWiki/1.4/Manual/Plugin/H-K PukiWiki/1.4/Manual/Plugin/L-N PukiWiki/1.4/Manual/Plugin/O-R PukiWiki/1.4/Manual/Plugin/S-U PukiWiki/1.4/Manual/Plugin/V-Z RFIDを用いた介護支援センサシステム ReRAMの書き込み抵抗制御回路と多値記録回路 RecentDeleted Related Site Research Projects SandBox Situs Terkait Sponsor Sponsorship The Korean language Thesis Subjects Top Page (English) WikiEngines WikiName WikiWikiWeb YukiWiki butchi kawai kimura komatsubara korea saiki uesaka vdec2pc汎用インタフェースの設計と試作 wada/201006 wada/test yama yasu yoshimoto ＭＩＭＯを用いたセンサネットワーク アセンブリレベル合成による設計環境の作成 ウェアラブルコンピュータ用の導電性衣服を用いたネットワークシステム コメント/handa コメント/komatsubara コメント/uesaka コメント/金大列伝 スペクトラムセンサと高速サーモビジョン スポンサー スマートフォンを用いた環境モニタリングシステム センサインテグレーションとボディエリアネットワーク デュアルバンド無線通信LSI（北川） バイオアクチュエータチップ パッシブ型バイオアイソレーションセンサ プラズマ発光センサ ヘルプ ボトムアップ式電子工作 メンバ ユビキタス気象観測センサノード 仮想触覚生成チップ 過去のTopics 過去の研究テーマ 介護支援のためのボディエリア無線ネットワーク(BAN)の開発 汗腺検出/刺激センサ 環境モニタのためのチューリンガルサーバの構築 関連リンク 近接場光を用いたスペクトルセンサLSIの開発 金大列伝 金沢大学VDEC 研究プロジェクト 研究紹介パンフレット 公開IPリスト 抗加齢医療のための活性酸素センサLSIの開発 高機能なカメラ向けのイメージセンサ 高精細ディスプレイ 高度道路交通システム対応超広帯域低雑音伝送LSIの開発 試作チップギャラリー 次世代不揮発性メモリRRAMのCMOSインテグレーション 所在地/アクセス 新聞報道等 人工触覚毛LSIおよび触覚の2次元画像化技術の開発 整形ルール 相変化材料を用いた次世代不揮発性メモリ技術の開発 卒業研究題目 卒業生 卒業生.bak 低品質電力加算回路 電子スピン共鳴ラジカルセンサ 日本語 燃料水位センサ（北川） 発表文献等 評価設備リスト 無線空力計測センサ
[[研究プロジェクト]]: [[次世代不揮発性メモリRRAMのCMOSインテグレーション]] 不揮発性メモリは、電源がなくても情報を記憶しておくことができるメモリです。ですから、USBメモリやICカード（お財布携帯や電子マネー）には必ず必要となる集積回路です。携帯電話でワンセグが見られるようになり、さらに大容量の不揮発性メモリを搭載して、短時間の録画までできるようになってきました。PCも超軽量なハードディスクレスが一般化し始めています。デジカメもフィルムカメラに匹敵する高精細画像撮影や動画像記録までできるようになってきています。これらは、全て不揮発性メモリ技術の進歩の結果といえます。 さらに、高速動作と大容量化、無限に近い書換え回数を目指して、新しい記録原理を利用した、新型メモリの開発が世界中で活発化しています（※）。いまのところ、相変化メモリ(PRAM)、磁気抵抗メモリ(MRAM)、電界誘起抵抗変化メモリ(RRAM)の3種類が次世代メモリの最有力候補となっています。 MeRLは、世界に先駆けて相変化不揮発性メモリ(PRAM)の集積化に取り組んできました。相変化メモリは、低コスト・大容量化が可能なメモリで、既に幾つかのメーカから製品のサンプル出荷が始まっていますが、DRAMなどに比べると書き換え速度が少し遅いという難点があります。このため、PCのハードディスクを置き換えることはできますが、DRAMやシステムLSI内部のメモリを置き換えることができません。そこで、近年発見された、新しい高速不揮発性メモリRRAMを大手メーカと協力して開発しています。 金沢大学が研究用の回路設計を担当し、製造プロセスの開発や動作メカニズムの解明を企業や他大学、国の研究機関が担当している巨大なプロジェクトです。現在、このプロジェクトが世界の最先端を走っており、世界中の半導体メーカやマスコミが注目している研究テーマですので、開発ペースが速く、学生気分の人には辛いと思いますが、やりがいのあるテーマです。新4年生には、修士生と協力して、CMOS回路とRRAMの混載LSIや不揮発性FPGAなど、世界初のLSIを開発してもらおうと考えています。 ※（解説） 現在の不揮発性メモリの主流は、フラッシュメモリという方式ですが、ランダムアクセスではないこと、書換え動作が遅いこと、書換え可能回数が少ないこと、CMOSとは異なる製造法であることから応用が限定されています。それに対して、全システムの記憶機能を置き換えることができるRRAMなどの高性能不揮発性メモリは、新型不揮発性メモリ(Emerging Nonvolatile Memory)と呼ばれています。 大容量不揮発性メモリの高性能化によって推進される技術分野 #ref(./nvram_app1.jpg,around); MeRLで開発した世界初のCMOS混載相変化メモリコア #ref(./00MOT0001-MEM1s.jpg,around);
[[研究プロジェクト]]: [[次世代不揮発性メモリRRAMのCMOSインテグレーション]] 不揮発性メモリは、電源がなくても情報を記憶しておくことができるメモリです。ですから、USBメモリやICカード（お財布携帯や電子マネー）には必ず必要となる集積回路です。携帯電話でワンセグが見られるようになり、さらに大容量の不揮発性メモリを搭載して、短時間の録画までできるようになってきました。PCも超軽量なハードディスクレスが一般化し始めています。デジカメもフィルムカメラに匹敵する高精細画像撮影や動画像記録までできるようになってきています。これらは、全て不揮発性メモリ技術の進歩の結果といえます。 さらに、高速動作と大容量化、無限に近い書換え回数を目指して、新しい記録原理を利用した、新型メモリの開発が世界中で活発化しています（※）。いまのところ、相変化メモリ(PRAM)、磁気抵抗メモリ(MRAM)、電界誘起抵抗変化メモリ(RRAM)の3種類が次世代メモリの最有力候補となっています。 MeRLは、世界に先駆けて相変化不揮発性メモリ(PRAM)の集積化に取り組んできました。相変化メモリは、低コスト・大容量化が可能なメモリで、既に幾つかのメーカから製品のサンプル出荷が始まっていますが、DRAMなどに比べると書き換え速度が少し遅いという難点があります。このため、PCのハードディスクを置き換えることはできますが、DRAMやシステムLSI内部のメモリを置き換えることができません。そこで、近年発見された、新しい高速不揮発性メモリRRAMを大手メーカと協力して開発しています。 金沢大学が研究用の回路設計を担当し、製造プロセスの開発や動作メカニズムの解明を企業や他大学、国の研究機関が担当している巨大なプロジェクトです。現在、このプロジェクトが世界の最先端を走っており、世界中の半導体メーカやマスコミが注目している研究テーマですので、開発ペースが速く、学生気分の人には辛いと思いますが、やりがいのあるテーマです。新4年生には、修士生と協力して、CMOS回路とRRAMの混載LSIや不揮発性FPGAなど、世界初のLSIを開発してもらおうと考えています。 ※（解説） 現在の不揮発性メモリの主流は、フラッシュメモリという方式ですが、ランダムアクセスではないこと、書換え動作が遅いこと、書換え可能回数が少ないこと、CMOSとは異なる製造法であることから応用が限定されています。それに対して、全システムの記憶機能を置き換えることができるRRAMなどの高性能不揮発性メモリは、新型不揮発性メモリ(Emerging Nonvolatile Memory)と呼ばれています。 大容量不揮発性メモリの高性能化によって推進される技術分野 #ref(./nvram_app1.jpg,around); MeRLで開発した世界初のCMOS混載相変化メモリコア #ref(./00MOT0001-MEM1s.jpg,around);

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